[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-3] Zn(Sn)O/Si積層型TFET特性の温度依存性と動作機構の理解

〇加藤 公彦¹、松井 裕章¹、田畑 仁¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：TFET、酸化物半導体、温度依存性

省電力なスイッチング素子として、n 型酸化物半導体チャネルとp 型IV 族半導体ソースを積層させた積層型TFET を提案している。本研究では、多結晶ZnO/SiおよびアモルファスZnSnO/Si TFET特性の温度依存性を詳細に評価した。多結晶チャネルの膜厚揺らぎやアモルファスチャネルの点欠陥や裾準位は、サブスレショルド特性の劣化を引き起こすことが示唆された。このトレードオフ関係を理解した材料選択は素子の高性能化において重要の鍵となり得る。