[9p-S223-1~12] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[9p-S223-6] 化学増幅型電子線レジストのパターン形成の確率論的シミュレーション

〇(D)香山 真範¹、白井 正充¹、川田 博昭¹、平井 義彦¹、安田 雅昭¹ (1.大阪府大院工)

キーワード：電子線リソグラフィ、化学増幅型レジスト、シミュレーション

半導体リソグラフィにおいてはパターンの微細化に伴い，レジスト構成分子や触媒である酸の挙動が解像性に与える影響が増大する．本研究では確率論的モデルに基づくシミュレーション手法を提案し，化学増幅型電子線レジストのパターン形成過程を解析した．パターン形状に対する露光後ベーク時間、クエンチャー濃度および分子量依存性等の基礎的な特性が再現できた．