[9p-S422-1~13] 15.1 バルク結晶成長

[9p-S422-10] 逆解析によるRF-TSSG 法によるSiC 結晶成長時のるつぼ温度最適化

〇岡野 泰則¹、堀内 鷹之¹、関本 敦¹、宇治原 徹² (1.阪大基礎工、2.名大院工)

キーワード：数値計算、SiC、TSSG法

高周波誘導加熱型TSSG法を用いた高品質SiC作製条件の決定を目的として随伴方程式を用いた逆解析によるるつぼ周囲最適温度条件の決定を行った。解析の結果本装置構造においては、るつぼ側面の温度分布の改善が最も重要であることが判った。温度分布を最適化することにより面内結晶成長速度を均一することができることを示した。