[9p-S422-1~13] 15.1 バルク結晶成長

[9p-S422-11] 高温ガス成長法による高速レートでのφ４"長尺4H-SiC結晶の成長

〇徳田 雄一郎¹、久野 裕也¹、上東 秀幸¹、岡本 武志¹、神田 貴裕¹、大矢 信之¹、星乃 紀博²、鎌田 功穂²、土田 秀一² (1.デンソー、2.電力中央研究所)

キーワード：シリコンカーバイド、結晶成長、ガス成長法

4H-SiCを用いたパワーデバイスのさらなる性能向上、普及の上ではいくつかの課題が残されており、その一つが高品質、低コスト、高生産性を両立するバルク結晶成長手法の実現である。この課題解決に向け、我々は高温ガス成長法の研究開発を行ってきた。今回、高温ガス成長法による高速・長尺成長の実現に向けて熱流体シミュレーション、実験の両面から検討を行った。結果、2 mm/hの高速レートでφ4インチ×20 mmの４H-SiC結晶の成長を実証した。