[9p-S422-1~13] 15.1 Bulk crystal growth

[9p-S422-7] Low temperature solution growth of GaSe crystal by In flux method under a temperature gradient

〇(D)Yohei Sato¹, Chao Tang¹, Katsuya Watanabe¹, Junya Ohsaki¹, Takuya Yamamoto², Tadao Tanabe¹, Yutaka Oyama¹ (1.Tohoku Univ. Eng., 2.Tohoku Univ. Env.)

Keywords:layered semiconductor, solution growth, temperature difference method

THz波光源としての応用が期待される二次元層状化合物半導体GaSe結晶を、光源特性の向上を目的として溶液から低温成長し、Inフラックスを使用することにより、その成長速度を高速化させることに成功した。成長した結晶に対してはPL測定などにより結晶中のIn取り込み量を評価した。