[9p-W521-1~16] 17.2 Graphene

[9p-W521-13] Graphene transfer on 4H-SiC m-face, periodically ordered in nanoscale

〇Ryosuke Uotani¹, Hitoshi Imamura¹, Takashi Kajiwara¹, Anton Visikovskiy¹, Takushi Iimori², Fumio Komori², Satoru Tanaka¹ (1.Kyushu Univ., 2.University of Tokyo)

Keywords:graphene, SiC m-face

本研究では，剥離グラフェンをSiC-m面へ転写することにより，グラフェンナノ構造を形成させ，corrugationによるグラフェン電子物性の変調を目的としている．当日は回転角度を変化させたグラフェン/m面SiCのLEED, 顕微ラマン分光等を用いた評価から，グラフェンの電子状態変調について議論を行う予定である．