[9p-W541-1~8] Science created by singularity in nitride-semiconductors; Development of nano-characterization and control of material properties

[9p-W541-1] Three-Dimensional Analysis of Singular Structures in GaN Crystals Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence Mapping

〇Tomoyuki Tanikawa¹, Takashi Matsuoka¹ (1.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:Multiphoton-Excitation Photoluminescence, GaN

多光子励起PLを用いてHVPE成長GaN結晶中の特異構造の三次元観察を行った。PL像において、転位を反映した暗点や暗線のほかに、不純物や点欠陥の面相濃度揺らぎを反映したコントラストの分布が現れる。これらの性質を比較すると、転位と成長姿態の位置対応を観察することができる。特に螺旋転位の周囲では、ヒロックやマクロステップの形状を反映したコントラストの明るい領域が観察された。