[9p-W611-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[9p-W611-4] テクスチャー構造を有するRib型Si太陽電池

〇高村 司¹、大谷 俊貴¹、岩田 龍門¹、市川 幸美¹、齊藤 公彦²、小長井 誠¹ (1.東京都市大総研、2.福島大共生システム理工学類)

キーワード：半導体

Si太陽電池の変換効率の向上を目指してRib型Si太陽電池の開発を進めている。KOHを用いてウェハ薄型化のためのエッチングを行うと、基板としてテクスチャーウェハを用いても、KOHによるエッチング後には、薄型化された部分からは、もともとの凹凸構造は消えてしまい、長波長側の外部量子効率（EQE）を増加させることができなかった。そこで、今回は、Rib加工のためのKOHによる異方性エッチングの後で、凹凸化のエッチングを行った。これによって、薄い領域が80mmのRib構造ではVoc=684mV, Isc=36.4mA/cm², FF=0.79、変換効率19.7% (1 cm²)が得られた。