林将平

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発表者・著者、共著者

2020年9月10日(木) 13:15 〜 18:00 Z23

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

15:45 〜 16:00

[10p-Z23-9] [第42回論文奨励賞受賞記念講演] Influence of basal-plane dislocation structures on expansion of single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p–i–n diodes

〇林将平¹、山下任²、先崎純寿³、宮里真樹⁴、呂民雅⁴、宮島將昭⁴、加藤智久³、米澤喜幸³、児島一聡³、奥村元³ (1.東レリサーチセンター、2.昭和電工、3.産総研、4.富士電機)