具燦淳

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発表者・著者、共著者

2020年9月11日(金) 09:00 〜 11:30 Z23

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-Z23-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

09:00 〜 09:15

△ [11a-Z23-1] 高温アニールおよび熱酸化処理による高純度半絶縁性4H-SiC基板のフェルミ準位の変化

〇具燦淳¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)