13:45 〜 14:00 [9p-Z20-3] カソードルミネッセンス法を用いたm面サファイア基板上Sn-doped α-Ga2O3の深い準位の解析 〇守屋 亮1、城川 潤二郎1、高橋 勲2、四戸 孝2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.FLOSFIA)