10:30 〜 10:45 [9a-Z07-6] 六方晶窒化ホウ素挿入層によるイオン液体ゲーティング時における化学反応の抑制効果 〇滝川 潤1、山本 真人2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、神吉 輝夫1、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.関大システム理工、3.物質材料研究機構)