11:00 〜 11:15 [11a-Z02-8] RF-MBE法によるScAlMgO4基板上へのGaNエピタキシャル成長 Ⅱ 〇(M1)栢本 聖也1、藤井 高志1,2、福田 承生2、杉江 隆一3、毛利 真一郎1、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.(株)福田結晶研、3.東レリサーチセンター)