16:00 〜 16:15 △ [10p-Z04-12] SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成のアニール温度依存性 〇溝端 秀聡1、和田 悠平1、野﨑 幹人1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)