13:45 〜 14:00 △ [11p-Z03-4] プラズマ曝露時の表面状態がSi基板内のプラズマ誘起欠陥分布に与える影響の定量評価 〇久山 智弘1,2、涌羅 奨平1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)