[11p-Z03-3~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [11p-Z03-4] Electrical Analysis of Distributions of Defects in Si Substrates Introduced by Plasma Exposure Under Various Surface Conditions

〇Tomohiro Kuyama^1,2, Shohei Yura¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:plasma-induced damage, surface state, Si substrate

プラズマプロセスでは，加工中の高エネルギーイオン照射により材料表面近傍に欠陥が形成される．近年我々は，固体の表面状態がプロセス雰囲気により変化することに注目し，プラズマ曝露時の表面状態がプラズマ誘起欠陥形成過程に与える影響を解析している．本発表では，Si基板の表面状態がプラズマ誘起欠陥の空間分布に与える影響を，プラズマ曝露後の表面酸化層とSi基板の電気特性から定量的に評価した結果を報告する．