09:00 〜 09:15 [11a-Z10-3] 高純度オゾンを用いた低温ALD Al2O3膜の性質 〇萩原 崇之1、阿部 綾香1、亀田 直人1、中村 健2、野中 秀彦2 (1.明電NPI、2.産総研)