[11a-Z10-1~10] 13.3 Insulator technology

[11a-Z10-3] Properties of low-temperature ALD Al₂O₃ film by high purity ozone

〇Takayuki Hagiwara¹, Ayaka Abe¹, Naoto Kameda¹, Ken Nakamura², Hidehiko Nonaka² (1.MEIDEN NPI, 2.AIST)

Keywords:Low-temperature ALD, Purity ozone, Insulating film

半導体デバイスの高集積化に伴う金属酸化物薄膜の精密な膜厚制御と成膜プロセスの低温化の要求に対し原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ALD）法が注目されている。今回、〜100%濃度のO₃ (Pure Ozone:PO)を150℃以下のALD（PO-ALD）に適用を試みた。プリカーサーとしてトリメチルアルミニウムを用いAl₂O₃膜を成膜し評価した。PO-ALDにて成膜したAl₂O₃膜のGPCおよびI-Vは他のALD手法の結果と同等でありながら、O₃の長寿命により複数基板の一括成膜処理も可能であり生産性に優れる。