10:30 〜 10:45 [11a-Z02-6] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるGaN高アスペクト微細ナノホールアレイの断面形状制御 〇(M1)阿部 洸希1、森谷 祐太1、川崎 裕生1、伊藤 大智1、木下 堅太郎1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクスリサーチセンター、3.上智大半導体研究所)