17:30 〜 17:45 [11p-Z02-17] ファセット成長による高組成InGaN下地層の検討 〇(M1)西 直矢1、河村 澪1、川村 洋史1、原田 裕也2、俵迫 勇也2、岡田 成仁1、只友 一行1 (1.山口大院創成、2.山口大工)