17:00 〜 17:15 △ [10p-Z23-13] 酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面 の形成 〇(D)立木 馨大1、金子 光顕1、小林 拓真1、木本 恒暢1 (1.京大院工)