[10p-Z23-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [10p-Z23-13] Formation of high-quality 4H-SiC/SiO₂ interface by excluding oxidation process

〇(D)Keita Tachiki¹, Mitsuaki Kaneko¹, Takuma Kobayashi¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, MOSFET

SiC/SiO₂界面準位の低減のため、様々な熱処理が用いられているが、熱処理前の絶縁膜の堆積方法が界面準位に与える影響はあまり調べられていない。本研究は、熱処理前に酸化を徹底的に排除したプロセスを用いてSiC/SiO₂界面を形成することで、極めて低い界面準位を達成したので報告する。