15:45 〜 16:00 △ [10p-Z05-13] Si基板上無極性面AlN成長のためのZnxMn1-xSバッファー層の作製条件の検討 〇森田 雅也1,2、石橋 啓次3、高橋 健一郎3、知京 豊裕2、小椋 厚志1、長田 貴弘2 (1.明治大理工、2.物材機構、3.株式会社コメット)