11:00 〜 11:30 [8a-Z06-5] 六方晶窒化ホウ素を基板としたVO2薄膜の成長とデバイス応用 〇山本 真人1、玄地 真悟2、神吉 輝夫2、野内 亮3,4、谷口 尚5、渡邊 賢司5、田中 秀和2 (1.関大システム理工、2.阪大産研、3.阪府大工、4.JSTさきがけ、5.物材機構)