小山手厚人

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発表者・著者、共著者

2020年9月8日(火) 13:00 〜 16:15 Z17

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.1 強誘電体薄膜

[8p-Z17-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

15:30 〜 15:45

[8p-Z17-10] MOCVD法によるSi基板上へのBiFeO₃薄膜のMOCVD成長

〇小山手厚人¹、藤沢浩訓¹、中嶋誠二¹ (1.兵庫県大工)