12:00 〜 12:15 [9a-Z29-13] レーザー光励起によるSiC(0001)表面上多層グラフェン領域からの選択的層剥離:光励起による単層グラフェン創製 〇(M1)堀江 亮介1、石田 健人1、金﨑 順一1、木曽田 賢治2、高橋 和敏3 (1.大阪市立大院、2.和歌山大院、3.佐賀大シンクロトロン光応用センター)