一般セッション(口頭講演)
[8a-Z08-1~8] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関
09:30 〜 09:45
〇Tomoki Hotta1、 Kengo Takase1、 Kosuke Takiguchi1、 Suriharsha Karumuri1、 Anh Le Duc1,2,3、 Masaaki Tanaka1,4 (1.Univ. of Tokyo、2.IEI, Univ. of Tokyo、3.PRESTO, JST、4.CSRN)
09:45 〜 10:00
〇(D)Sriharsha Karumuri1、 Anh Le Duc1,2,4、 Yuuji Shimada3、 Takuji Takahashi3,5、 Masaaki Tanaka1,5,6 (1.EEIS, UTokyo、2.Presto, JST、3.IIS, UTokyo、4.IEI, UTokyo、5.INQIE, UTokyo、6.CSRN, Utokyo)
10:00 〜 10:15
〇森田 真衣1、 有野 雅史1、 牧田 憲治1、 黒田 眞司1、 Vivekanand Tiwari2、 Herve Boukari2、 Lucien Besombes2 (1.筑波大数理物質、2.CNRSネール研)
10:15 〜 10:30
▲ [8a-Z08-4] Impurity Band and Valence Band Structure of p-type Ferromagnetic Semiconductor (In,Mn)As
〇Kohsei Araki1、 Takahito Takeda1、 Le Duc Anh1,2、 Atsushi Fujimori3,4、 Shinobu Ohya1,2、 Vladimir N. Strocov5、 Masaaki Tanaka1,2、 Masaki Kobayashi1,2 (1.Dept. of Electrical Eng. & Information Sys., Univ. of Tokyo、2.CSRN, Univ. of Tokyo、3.Dept. Phys., Univ. of Tokyo、4.Dept. Appl. Phys., Waseda Univ.、5.Swiss Light Source)
10:30 〜 10:45
〇(M2)羽立 康浩1、 鈴木 健太1、 浅野 秀文1、 植田 研二1 (1.名大院工)
10:45 〜 11:00
〇Fan Tuo1、 Nguyen Huynh Duy Khang1、 Soichiro Nakano1、 Pham Nam Hai1,2,3 (1.Tokyo Tech.、2.Univ. of Tokyo、3.JST-CREST)
11:00 〜 11:15
▲ [8a-Z08-7] Studies of growth conditions of Bi2Te3 on sapphire substrates by pulsed laser deposition
〇Yusuke Tanaka1、 Yoji Kunihashi1、 Yoshiharu Krockenberger,1、 Haruki Sanada1、 Takehiko Tawara1、 Katsuya Oguri1、 Hideki Gotoh1 (1.NTT BRL)
11:15 〜 11:30
〇濱 祐介1、 野村 健太郎2 (1.国情学研、2.東北大金研)