[10a-Z02-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10a-Z02-6] Optical properties of three-color light emitting diodes consisting of Eu-doped GaN and InGaN quantum wells stacked on the same sapphire substrate

〇Shuhei Ichikawa¹, Keishi Shiomi¹, Takaya Morikawa¹, Yutaka Sasaki¹, Dolf Timmerman¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GaN, rare-earth, LED

次世代を担うディスプレイとして近年注目を集めているマイクロLEDディスプレイの実現には、3原色LEDチップの高集積化が必要不可欠である。実現のためには、同一基板上に(同一材料系で) 3原色のLED を如何に作製するか、がキーテクノロジーとなる。本研究室ではこれまでに、有機金属気相成長法により希土類元素のEuをGaN結晶中にin-situ添加し(GaN:Eu)、これを活性層とした赤色LEDを実現してきた。これまでに、Eu添加GaNによる赤色LEDとInGaN系青・緑色LEDを積層成長することで、同一サファイア基板上に3原色LEDの集積を実現している。本報告では、積層型3原色LEDの構造および光学特性の評価を行ったので報告する。