[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10a-Z04-8] 中性粒子ビームによる無欠陥原子層GaN加工

〇澤田 尭廣¹、大堀 大介^1,2,3、菅原 健太⁴、岡田 政也⁴、佐藤 大輔⁵、栗原 秀行⁵、寒川 誠二^1,2 (1.東北大学流体研、2.東北大AIMR、3.NCTU、4.住友電工、5.昭和電工)

キーワード：GaN, エッチング, 中性粒子ビーム

GaN高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)はAI・IoT社会の発展に必要不可欠な第5世代無線基地局(5G)通信による高速・高信頼ネットワーク形成へ期待されている。バリア層の薄膜化に伴い、無欠陥かつ単原子層レベルでの高度なエッチング技術が求められている。GaNエッチング時の表面状態及びそのメカニズムの詳細に関して、本研究ではGaNの加工における基礎特性をBiasパワー及びガス種を変化させることで明らかにした。