[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10a-Z04-9] GaN HBTの作製に向けたp型GaNのドライエッチング

〇隈部 岳瑠¹、安藤 悠人¹、渡邉 浩崇²、田中 敦之^2,3、本田 善央²、出来 真斗^1,4、新田 州吾²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大 IMaSS、3.物材機構、4.名大 VBL、5.名大 ARC)

キーワード：p型GaN, ドライエッチング, オーミックコンタクト

本研究では，GaN HBTの作製に向けて，p型GaN(ベース)の低ダメージ・ドライエッチングを検討した．ICP-RIEにおけるバイアスパワーに着目し，これを十分に下げることで(< 2.5 W)，より低ダメージであることを示すPL測定結果と，未処理サンプルと同水準の電気特性が得られた．低バイアスパワーでのICP-RIEは，GaN HBT作製時のp型GaN(ベース)エッチング手法として有効である．