[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-2] HEATE法によるZnO単結晶のエッチング特性評価とナノ構造の作製

〇伊藤 大智¹、森谷 裕太¹、菊池 昭彦^1,2,3 (1.上智大・理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究所)

キーワード：ZnO, ナノ構造, ナノ加工

ZnOは3.4 eVの直接遷移型ワイドバンドギャップや60 meVの大きな励起子結合エネルギーを持つ半導体であり、センサーやLED、UV検出器等の多様なナノデバイス応用が報告され、ナノ構造作製技術に関する研究も盛んに行われている。我々は低加工損傷で微細加工が可能な半導体加工技術である水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法を提案し、GaNやGa₂O₃単結晶のエッチング特性や、ナノLEDの作製等について報告してきた。今回、HEATE法をZnO単結晶に適用し、エッチング特性の調査、ナノ構造の作製、及び熱力学的解析を行なったので報告する。