[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-7] ゾル・ゲルディップ法によるCo添加NiOのエピタキシャル成長

〇安田 隆¹、白嶋 賢仁¹、壹岐 智行¹ (1.石専大理工)

キーワード：酸化物半導体, 酸化ニッケル, 酸化コバルト

ゾル・ゲルティップ法により，MgO基板上へエピタキシャル成長したNiCoOについて報告する。