[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-Z02-1] [第42回優秀論文賞受賞記念講演] Naフラックスポイントシード法における薄液を活用したGaN結晶の横方向成長促進

〇今西 正幸¹、村上 航介¹、山田 拓海¹、垣之内 啓介¹、中村 幸介¹、北村 智子¹、奥村 加奈子¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：GaN, ポイントシード, Naフラックス法

これまでに筆者ら取り組んできたNaフラックスポイントシード法では低転位かつ大口径なGaN結晶が得られる一方、{10-11}面等のファセット面が顕著に出現する。このファセット面は酸素不純物を取り込みやすく格子定数が拡張するため、HVPE厚膜成長時にクラックが発生、品質を維持できない等の問題が発生した。そこで本論では基板を融液から取り出し、坩堝外において自然に形成される薄液を利用する成長を試みた結果、ファセット面を抑制し、平坦かつ高純度な結晶を得ることに成功した。坩堝外での成長はこれまでのNaフラックス法の常識を覆すユニークな技術である。