[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [10p-Z02-17] CL studies of MOVPE AlN films grown on high-temperature-annealed sputtered AlN (2)

〇(M2)Takumi Kasuya¹, Kohei Shima¹, Kanako Shojiki², Kenjiro Uesugi³, Kazunobu Kojima¹, Akira Uedono⁵, Hideto Miyake⁴, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Grad. School of Eng., Mie Univ., 3.SPORR, Mie Univ., 4.Grad. School of RIS, Mie Univ., 5.Univ. of Tsukuba)

Keywords:AlN, Cathodoluminescence

サファイア上にAlN薄膜をスパッタ成膜した後にface-to-face高温アニールを施し、その上にAlN膜をMOVPE成長させることによって形成したAlNテンプレートがAlGaN系深紫外発光素子用基板として注目されている。講演では、異なる条件で作製したスパッタAlN薄膜およびその上にMOVPE成長させたAlN薄膜のCL特性について報告する。