[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-Z02-20] 中温成長GaN ピット形成層上のInGaN 単一量子井戸構造におけるポテンシャル障壁評価

〇倉井 聡¹、高 俊吉¹、槇尾 凌我¹、林 直矢¹、湯浅 翔太¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹、山田 陽一¹ (1.山口大院創成科学)

キーワード：InGaN単一量子井戸, ポテンシャル障壁, 近接場光学顕微分光