[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-Z02-3] 低圧酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成の初期成長制御

〇冨田 大輔¹、Saskia Schimmel¹、斉藤 真^2,3、包 全喜^2,4、栗本 浩平⁴、石黒 徹²、秩父 重英^1,2、本田 善央¹、天野 浩¹ (1.名大未来材料・システム研、2.東北大多元研、3.三菱ケミカル、4.日本製鋼所)

キーワード：窒化ガリウム, アモノサーマル法, バルク結晶

溶液法による結晶成長においては、飽和溶液から緩やかに降温することにより結晶性に優れた結晶を作製できることが知られている。NH₄Fを用いたLPAAT法では溶解度の温度依存性が負の相関を示すため、飽和溶液から緩やかに昇温することで結晶性に優れたGaN結晶の作製が期待できる。そこで本研究では初期成長制御がGaN結晶育成に与える影響について報告する。