[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [10p-Z02-4] High-rate growth of the OVPE-GaN crystal by the effect of N₂O gas on the suppression of polycrystal formation

〇(M1)Ayumu Shimizu¹, Masahiro Kamiyama¹, Akira Kitamoto¹, Masayuki Imanishi¹, Masashi Yoshimura², Tomoaki Sumi³, Junichi Takino³, Yoshio Okayama³, Masahiko Hata⁴, Masashi Isemura⁵, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ., 3.Panasonic Corporation, 4.Itochu Plastics Inc., 5.Sosho-Ohshin Inc.)

Keywords:Gallium Nitride, OVPE, N2O gas

Ga源としてGa₂Oガスを用いるOVPE法では、HClフリーのため固体の副生成物が生成せず、原理的に長時間の成長が期待できる。これまで、厚膜化を阻害する多結晶の原因としてGaNの分解により生じるGa dropletに着眼し、H₂Oガスを添加することにより多結晶の抑制および厚膜OVPE-GaN結晶の作製に成功した。しかし、H₂O添加条件では添加量の増加に伴い成長の駆動力が低下する。そこで本研究では、駆動力を低下させずにGa dropletを除去する添加物としてN₂Oガスに着眼し、100 µm/h以上の更なる高速成長と多結晶抑制の両立について試みた。