[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-Z02-5] Control of Lattice-relaxation for InGaN Thick Films by GaN intermediate layer on PSS

〇Ryohei Hieda¹, Kentaro Ema¹, Hisashi Murakami¹, Akinori Koukitu¹ (1.TUAT)

Keywords:InGaN, HVPE

原料に金属三塩化物を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法を用いたInGaN成長における緩和状態の制御を試みた。直径、パターン間隔の異なる2種類のコーン型PSSを用いてGaN 中間層を挿入することでInGaN 厚膜成長を行い、InGaN成長層の緩和率を比較・調査した。その結果、適切なPSSを選択しながらGaN中間層の膜厚を変化させることにより、InGaN層の緩和率を制御できることが示された。