[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-Z02-4] N₂Oガスの多結晶抑制効果によるOVPE-GaN結晶の高速成長

〇(M1)清水 歩¹、神山 将大¹、北本 啓¹、今西 正幸¹、吉村 政志²、隅 智亮³、滝野 淳一³、岡山 芳央³、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅士⁵、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.パナソニック(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)

キーワード：窒化ガリウム, OVPE, N2Oガス

Ga源としてGa₂Oガスを用いるOVPE法では、HClフリーのため固体の副生成物が生成せず、原理的に長時間の成長が期待できる。これまで、厚膜化を阻害する多結晶の原因としてGaNの分解により生じるGa dropletに着眼し、H₂Oガスを添加することにより多結晶の抑制および厚膜OVPE-GaN結晶の作製に成功した。しかし、H₂O添加条件では添加量の増加に伴い成長の駆動力が低下する。そこで本研究では、駆動力を低下させずにGa dropletを除去する添加物としてN₂Oガスに着眼し、100 µm/h以上の更なる高速成長と多結晶抑制の両立について試みた。