[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-Z02-5] PSS上GaN中間層によるInGaN厚膜の格子緩和状態の制御

〇日永田 亮平¹、江間 研太郎¹、村上 尚¹、纐纈 明伯¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：InGaN, HVPE

原料に金属三塩化物を用いたトリハライド気相成長(THVPE)法を用いたInGaN成長における緩和状態の制御を試みた。直径、パターン間隔の異なる2種類のコーン型PSSを用いてGaN 中間層を挿入することでInGaN 厚膜成長を行い、InGaN成長層の緩和率を比較・調査した。その結果、適切なPSSを選択しながらGaN中間層の膜厚を変化させることにより、InGaN層の緩和率を制御できることが示された。