[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [10p-Z02-7] Halide vapor phase epitaxy growth of Mg-doped GaN layer using Mg-containing ceramics for the source of impurities

〇Yuki Amano¹, Kazuki Ohnishi¹, Naoki Fujimoto², Hirotaka Watanabe², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.ARC, Nagoya Univ., 4.VBL, Nagoya Univ.)

Keywords:HVPE, GaN

HVPE法によるpn接合ダイオード等のデバイス作製やp型GaN基板の作製のためにはp型伝導の実現が必須である. しかし, HVPE法によるp型伝導の報告例は少ない. この理由の1つに, 適当なMgドーピング原料が探索されていないことが挙げられる. 本研究では, 制御性の良いMg原料を探索することを目的に, 高耐熱で化学的に安定なMg含有セラミックスに着目し, このセラミックスをMg原料として用いることによってGaNへのMg添加手法を検討した.