[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-Z02-7] Mg含有セラミックスを不純物源としたMg添加GaNのHVPE成長

〇天野 裕己¹、大西 一生¹、藤元 直樹²、渡邉 浩崇²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大赤﨑記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：ハライド気相成長法, 窒化ガリウム

HVPE法によるpn接合ダイオード等のデバイス作製やp型GaN基板の作製のためにはp型伝導の実現が必須である. しかし, HVPE法によるp型伝導の報告例は少ない. この理由の1つに, 適当なMgドーピング原料が探索されていないことが挙げられる. 本研究では, 制御性の良いMg原料を探索することを目的に, 高耐熱で化学的に安定なMg含有セラミックスに着目し, このセラミックスをMg原料として用いることによってGaNへのMg添加手法を検討した.