[10p-Z04-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10p-Z04-14] Electrical properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO₂/Al₂O₃ double insulators fabricated by ALD Ⅱ

〇Shunichi Yokoi¹, Toshiharu Kubo¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. of Tech)

Keywords:GaN, ALD, HEMT

金属/絶縁体/半導体(MIS)型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は次世代のパワーデバイスとして研究されている。Al₂O₂ とSiO₂ を用いて2 層絶縁膜を形成することにより、界面特性が良いMIS 構造を作製することができると考えられ、これまでに研究報告がなされている。本研究ではALD を用いてSiO₂/Al₂O₃/ AlGaN/GaN MIS-HEMT を作製、さらにデバイスのノーマリオフ化を図るため、2 層絶縁膜を用いて、リセス構造を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT を作製し、電気特性を評価した。