[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-14] ALD により成膜したSiO₂/Al₂O₃ 2 層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ

〇横井 駿一¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：窒化ガリウム, 原子堆積法, 高電子移動度トランジスタ

金属/絶縁体/半導体(MIS)型のGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は次世代のパワーデバイスとして研究されている。Al₂O₂ とSiO₂ を用いて2 層絶縁膜を形成することにより、界面特性が良いMIS 構造を作製することができると考えられ、これまでに研究報告がなされている。本研究ではALD を用いてSiO₂/Al₂O₃/ AlGaN/GaN MIS-HEMT を作製、さらにデバイスのノーマリオフ化を図るため、2 層絶縁膜を用いて、リセス構造を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT を作製し、電気特性を評価した。