The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10p-Z04-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Sep 10, 2020 1:00 PM - 5:30 PM Z04

Taketomo Sato(Hokkaido Univ.), Toshiharu Kubo(Nagoya Inst. of Tech.)

5:00 PM - 5:15 PM

[10p-Z04-16] Effect of heat treatment atmosphere on VFB shift of SiO2/GaN MOS structure

Taiki Hirano1, Mutsunori Uenuma1, Masaaki Furukawa1, Yukiharu Uraoka1, Hideaki Adachi1 (1.NAIST)

Keywords:GaN, Heat treatment atmsphere, Flat band voltage shift

SiO2/GaN MOS構造においては、膜中水素に起因するバイアス安定性の変化などが報告されている。そこで本研究では、SiO2/GaN MOSキャパシタの電気的特性に対するPMA処理時のH2の影響を評価した。N2でアニールをした試料はフォーミングガスでアニールした試料に対して少ない電荷注入量を示した。この結果からPMA雰囲気に含まれるH2が電荷トラップに関連していることが示唆された。