[10p-Z04-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10p-Z04-17] Characterization of MOS Capacitors Formed on Dry-etched GaN surfaces

〇(M2)KyungPil NAM¹, Takashi Ishida^1,2, Shinji Yamada^1,2,3, Matys Maciej², Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ, 2.Nagoya Univ.IMaSS, 3.ULVAC ISET)

Keywords:GaN MOS Capacitor

本研究では、様々なドライエッチングプロセスを行ったGaN表面にMOSキャパシタを作製し、プロセス条件と界面特性の関係を調べたので報告する。 MOSキャパシタのC-V測定を行ったところ、プロセス条件によりフラットバンド電圧シフト（ΔVFB）が大きく異なることが分かった。VFBシフトの起源について光照射C-V測定を行った結果、プロセス条件により界面にトラップされている電子密度の影響が大きいことを確認した。