17:15 〜 17:30 [10p-Z04-17] 様々な条件でドライエッチングを施したGaN表面に作製したMOSキャパシタの特性評価 〇(M2)NAM KyungPil1、石田 崇1,2、山田 真嗣1,2,3、Maciej Matys2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院、2.名大 未来材料、3.アルバック半電研)