[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-17] 様々な条件でドライエッチングを施したGaN表面に作製したMOSキャパシタの特性評価

〇(M2)NAM KyungPil¹、石田 崇^1,2、山田 真嗣^1,2,3、Maciej Matys²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院、2.名大 未来材料、3.アルバック半電研)

キーワード：GaN MOS キャパシタ

本研究では、様々なドライエッチングプロセスを行ったGaN表面にMOSキャパシタを作製し、プロセス条件と界面特性の関係を調べたので報告する。 MOSキャパシタのC-V測定を行ったところ、プロセス条件によりフラットバンド電圧シフト（ΔVFB）が大きく異なることが分かった。VFBシフトの起源について光照射C-V測定を行った結果、プロセス条件により界面にトラップされている電子密度の影響が大きいことを確認した。