[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-8] 成膜後熱処理を施した原子層堆積Al₂O₃/GaNキャパシタの電気伝導特性

〇平岩 篤^1,4、堀川 清貴²、大久保 智²、川原田 洋^1,2,3 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.早大材研、4.名大未来研)

キーワード：Al2O3, 熱処理, 結晶性

成膜後熱処理を施した原子層堆積Al₂O₃/GaNキャパシタのリーク電流は、Al₂O₃の結晶化により大きく減少する。これはAl₂O₃/GaN界面エネルギー障壁の増加（Al₂O₃電子親和力の減少）によるものであることを空間電荷制限電界放出解析により明らかにした。制限視野電子線回折像の解析結果によると、結晶化したAl₂O₃は111優先配向したγ-Al₂O₃であり、(0001)GaN基板の<2-1-10>方向とγ-Al₂O₃の<01-1>方向とが平行となる固相エピタキシャル成長が生じていた。