[10p-Z04-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [10p-Z04-9] Gate controllability of HfSiO_x-gate AlGaN/GaN MOS-HEMT

〇Ryota Ochi¹, Erika Maeda^2,3, Toshihide Nabatame², Koji Shiozaki⁴, Tamotsu Hashizume^1,4 (1.RCIQE, 2.NIMS, 3.SIT, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, HEMT, RF power amplifiers

GaN系HEMTの高周波増幅器への応用には、大振幅動作時のゲート漏れ電流制御の点から、MIS構造が望ましく、high-k膜の適用が望ましい。従来用いられてきたAl₂O₃よりも高い誘電率を持つHfSiO_x(k=13)膜を用い、MOS-HEMTを作製し評価を行ったところ、これまでで最小の界面準位密度を示し、周波数分散は無視できるほど小さかった。また、高温でのしきい値電圧シフトは150mVと極めて低い値を示し、高いゲート制御性が示された。